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博格华纳向Wolfspeed投资5亿美元保障高达65亿美元碳化硅器件年度产能供应

发布时间: 2024-01-05 14:55:41   来源: 火狐官方下载电脑版官网

  博格华纳向Wolfspeed投资5亿美元,保障高达6.5亿美元碳化硅器件年度产能供应

  -博格华纳将参与到 Wolfspeed 今天早一点的时候宣布的融资交易,以支持 Wolfspeed 的多年产能扩充计划

  -获得专有的碳化硅(SiC)器件供应对于博格华纳的逆变器增长计划与“蓄势 ∙ 前行”战略具有重大意义

  -Wolfspeed和博格华纳同时也在探索更为深度的合作,以加速技术开发

  2022年11月17日,美国北卡罗来纳州达勒姆市、密歇根州奥本山市与中国上海市讯 — 全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed, Inc. 与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(NYSE: BWA)宣布达成战略合作。博格华纳将向 Wolfspeed 今天早一点的时候发布的融资交易投资 5 亿美元,以获取碳化硅器件产能供应通道。基于 Wolfspeed 与博格华纳达成的多年协议,博格华纳将可根据其公司需求的增加,有权采购每年高达6.5亿美元的器件。

  博格华纳总裁兼首席执行官 Frédéric Lissalde表示:“随着我们电动汽车业务的不断增速,碳化硅基功率电子对我们的用户正在发挥着日益重要的作用。我们始终相信通过这一个协议,将帮助确保博格华纳拥有高品质碳化硅器件的可靠供应。这对公司的逆变器增长计划具有重大意义。基于博格华纳出类拔萃的 Viper 电源开关和逆变器技术,我们很高兴与碳化硅技术的引领者 Wolfspeed 在下一代碳化硅产品潜能开发方面开展合作。我们始终相信我们与 Wolfspeed 的合作将会推动创新,加速助力全世界汽车行业实现电气化转型,进一步推进博格华纳‘一个洁净、节能的世界’的愿景。”

  博格华纳的“蓄势 ∙ 前行”战略目标力争将电动汽车业务营收从 2021 年的不到 3.5 亿美元提高到 2025 年的 45 亿美元。基于新业务奖励与截至公司第三季度财务报表发布时所宣布的并购,博格华纳相信电动汽车业务营收已有望在 2025 年达到约 40 亿美元。

  Wolfspeed 总裁兼首席执行官 Gregg Lowe表示:“今天的发布表明了我们两家公司达成战略合作是为了致力于创新解决方案的开发,以更好地支持碳化硅器件日渐增长的需求。博格华纳是 Wolfspeed 多年以来的强有力合作伙伴。我们很高兴地获得博格华纳的投资,以用于支持我们产能的扩充,并将保障我们对于博格华纳及其客户有一个稳定的产品供应。结合此次协议以及我们最近宣布的在北卡罗来纳州数十亿美元的材料产能扩充计划,证明了从硅向碳化硅的产业转型正在有条不紊的进行中。”

  在上个月的公司投资者日活动中,Wolfspeed 介绍了一个将长达数年、耗资 65 亿美元的产能扩充计划,这这中间还包括了在公司先进的 200mm 莫霍克谷工厂安装更多设备和位于北卡罗纳州占地 445 英亩碳化硅材料工厂的建设。这将使公司现在存在的材料产能扩大 10 倍以上。一期建设规划将于公司 2024 财年年底完成。

  关键字:编辑:张工 引用地址:博格华纳向Wolfspeed投资5亿美元,保障高达6.5亿美元碳化硅器件年度产能供应

  全球知名 半导体 制造商 ROHM (总部在日本京都市)的 SiC 功率元器件(SiC MOSFET*1)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,总部在中国上海市,以下简称“UAES 公司”)的 电动汽车 车载充电器(On Board Charger,以下简称“OBC”)。UAES 公司预计将于 2020 年 10 月起向汽车制造商供应该款 OBC。 与 IGBT*2 等 Si(硅)功率元器件相比,SiC 功率元器件是一种能够明显降低损耗的半导体,在电动汽车以及基础设施、环境 / 能源、工业设施领域的应用日益

  功率元器件在UAES的电动汽车车载充电器中得到应用 /

  由意法半导体(ST)担任协调者的欧洲SiC/GaN功率半导体开发项目“LAST POWER(Large Area silicon-carbide Substrates and heTeroepitaxial GaN for POWER device applications)”公布了自2010年4月启动以来3年内取得的开发成果。 LAST POWER是由欧洲纳米科技倡议咨询委员会联合工作组(European Nanoelectronics Initiative Advisory Council Joint Undertaking,UENIAC JU)于2010年4月启动的功率电子开发项目,由从事SiC及GaN等宽禁带半导

  2022年1月24日,盖世汽车了解到,湖南长沙的中国第一条碳化硅产业链垂直整合制造平台成功制造出三安碳化硅二极管,并完成客户可靠性验证。据了解,去年中旬刚刚完成为期一年建设并投产的湖南三安项目在11月份顺利投产。而这次量产下线也标志着该生产线郑重进入全速发展的新阶段。 令人瞩目的是,三安的650伏20安碳化硅二极管于本月首批入选中国汽车工业协会和中国半导体行业协会联合编制的《中国汽车芯片推广应用推荐目录》。能够顺利入选该目录,代表此型号二极管的性能和综合可靠度,获得了行业的一致认可和赞赏。 此外,在三安将650V20A碳化硅二极管给汽车行业客户送检测试当中,可靠性和优异性能令人刮目相看,车载充电器头部企业和主机厂订单也纷至

  意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)发布碳化硅产品创新成果,助力系统厂商研发能够将太阳能转化成电网电能的高能效电子设备。 意法半导体已于近日在美国佛罗里达州举办的2012年国际太阳能展览会暨研讨会(Solar Power International 2012)上展出了1200V碳化硅二极管。该产品可取代DC-DC升压转换器和DC-AC逆变器所用的普通二极管,把太阳能光伏板模块的低压输出电能转换成高质量的电网电压AC电能。 作为太阳能发电用二极管的基本材料,碳化硅二极管的各项技术指标均优于普通双极二极管(silicon bipolar)技术。碳化硅二极管导通与关断状态的转换速度很快,而且没有普通双极二极

  据外媒报道,博格华纳(BorgWarner)获得美国能源部(DOE)409万美元的资助,用于开发具有成本效益的下一代模块化直流快速充电器。 (图片来自:博格华纳公司) 该项目为期三年,是美国能源部的25个研发示范项目之一。这些项目旨在推进电气化、减少汽车排放和改良 电动汽车 充电基础设施。 博格华纳将与美国供应商与研究伙伴合作,包括密歇根州立大学、杜克能源子公司eTransEnergy、咨询公司Cityfi、密歇根州,以及设计和建筑企业Barton Marlow。另外,还得到碳化硅芯片供应商 Wolfspeed提供的组件支持。 该项目旨在将直流快速充电器的成本降低20-30%,同时提高功率密度、减少能源损耗、

  开发350kW直流快速充电器 或将成本降低20-30% /

  近日消息,从 东风 汽车官方获悉, 东风 碳化硅 功率模块 项目课题已经顺利完成,将于2023年搭载 东风 自主新能源乘用车,实现量产。 IGBT 行业的门槛非常高,除了芯片的设计和生产, IGBT 模块封装测试的开发和生产等环节同样很有高的技术方面的要求和工艺技术要求,作为 IGBT 模块的升级产品、第三代半导体, 碳化硅 功率模块 有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。 该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代,以此来实现10分钟充电80%,并逐步提升车辆续航能力,降低整车成本。 同时,总投资2.8亿元的 功率模块 二期项目也在加速推进中,据悉,该项目一方面优化现有产线,提高IGBT模块产量,另

  功率模块明年量产装车 /

  2022年3月10日,财联社报道称,中信建投认为,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,能够完全满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件。 中信建投将SiC器件发展分为三个发展阶段:2019-2021年为初期;2022-2023年为拐点期;2024-2026年为爆发期。 中信建投认为,SiC随着在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用领域展开,需求迎来爆发增长,其中,新能源汽车是SiC器件应用增长最快的市场,预计2022-2026年的市场规模从16亿美元到46亿美元。 尤为值得一提的是,本土企业在车用SiC领域已经取得了一定的突破。去年12月,在首届集微汽车半导体生态峰会上,

  欧盟制定了一个雄心勃勃的目标,即到2050年将其总体温室气体排放量降低至少80%。要实现该目标,汽车行业的贡献将很重要。美国企业平均燃油经济性(CAFE)标准虽然很可能要经受特朗普政府的审查,但它在改善车辆的环境保护方面发挥了及其重要的作用。如果这些标准保持不变,汽车制造商将需要在每个方面显著改善燃油的经济性,预计到2022年将达到每加伦汽油49英里(49mpg)的平均水平。   如果要实现所有这些目标,使电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)具备更大的市场占有率将变得至关重要。根据彭博新能源财经(Bloomberg New Energy Finance)进行的分析预测,到2040年,电动汽车将占全世界汽车年出货量的35%(相当于41

  半导体材料与器件 PDF高清电子版

  HVI系列 - 如何驱动碳化硅 MOSFET 以优化高功率系统的性能和可靠性

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