博世董事会成员 Harald Kroeger 近日表示：“碳化硅半导体为电动汽车带来了更多动力。对于驾车者来说，这在某种程度上预示着续航里程将增加 6％。” 博世计划于 2021 年下半年在位于德国高科技中心“硅萨克森州”中心的工厂进行首次碳化硅芯片的生产。该工厂将雇用 700 名员工。与使用150-200mm直径的现有生产方法相比，该工厂将使用直径为 300mm的硅晶圆。

  博世将自己定位为未来电动，互联和无人驾驶汽车的全系列半导体产品的供应商。根据 Strategy Analytics 的数据，去年博世在 380 亿美元的汽车半导体市场中排名第六，所占份额为 5.4％。

  2017年，博世宣布投资11亿美元在德国德累斯顿建立一座晶圆厂，工厂建成后采用直径为12英寸的晶圆来生产半导体芯片。但很显然，随市场的迅速增加，博世原有的工厂年产量已经没办法满足客户的需求。

  2019年，博世宣布斥资11亿美元在德国德累斯顿兴建第二家晶圆厂，这将使博世的芯片产量从2021年起增加一倍。

  纵观整个碳化硅产业，美日欧呈现三足鼎立态势。其中美国占据全球碳化硅产量的70%以上，典型公司为Cree公司、II-VI公司，Cree公司占据领跑者的位置；欧洲企业拥有完整的衬底、外延、器件以及应用产业链，典型公司为英飞凌、意法半导体等；日本企业在设备和模块开发方面具备优势，典型企业为罗姆半导体、三菱电机等。

  关键字：碳化硅编辑：北极风 引用地址：碳化硅市场还有多火爆 又一国际巨头加入战局

  据统计，截至2021年三季度，我国光伏发电累计装机量达275GW，同比增长25%，累计新增装机量 22GW，同比增长 45%。并在十四五规划中精确指出，到2025年我国光伏发电系统装机量有望突破400GW大关。 如今光伏产业已迈入快速成长阶段，并带来了数百亿的市场规模。得益于光伏产业的发展，在光伏储能系统中构建成本将近两成的光伏逆变器也迎来了发展的新契机，吸引了不少玩家进入光伏储能逆变器这一赛道中激烈的角逐。 从行业发展角度与能源利用率来看，碳化硅光伏逆变器有望替代传统的硅基光伏逆变器，并成为行业发展的重点。据了解，使用碳化硅功率器件的光伏逆变器在系统转换效率方面能够很好的保持在96%以上，还可以达到99%，在能量损耗以及设备使

  2015~2021年，SiC功率半导体市场预计将以19%的复合年均增长率快速地发展！ SiC功率半导体正进入多个应用领域 当首款碳化硅（SiC）二极管于2001年推出时，整个产业都对SiC功率半导体的未来发展存在疑虑，它会有市场吗？它能够线年之后的今天，人们不再会有这样的疑虑。SiC功率半导体市场是真实存在的，而且具有广阔的发展前途。2015年，SiC功率半导体市场（包括二极管和晶体管）规模约为2亿美元，到2021年，其市场规模预计将超过5.5亿美元，这期间的复合年均增长率预计将达19%。丝毫没有悬念，消耗大量二极管的功率因素校正（power factor correction， PFC）电源市

  各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案，即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。 这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制，对于电动汽车（EV）整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言，该平台能够在一定程度上帮助他们加快产品上市时间。 该可扩展平台中的第一款产品是一个三相1200V/450A碳化硅MOSFET

  MOSFET智能功率模块问市 /

  UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代

  UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET 2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo® 今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这一些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET很适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。 UnitedSiC（即Qorvo） 功率器件总工程师Anup Bhalla称：“性能较高的第四代产品扩充

  FET /

  据外媒报道，据法国市场研究公司Yole Developpement称，预计到2023年，碳化硅功率器件市场市值将达14亿美元，2017年至2023年的年复合增长率预计为29%。 上述数字表明，2017年碳化硅（SiC）功率元件市值约为3亿美元，2018年将达3.9亿美元，2019年将持续增长到5亿美元。Yole断言，汽车行业采用碳化硅，将是未来几年的关键趋势。 目前，碳化硅功率器件市场主要由二极管组成，大多数都用在功率因素补偿（power factor correction）、电源（power supplies）以及光伏应用（photovoltaic application）。然而，Yole估计，未来5年内，碳化硅器件的主要驱动产

  效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。 英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它已可用于不同应用。不过，为了让这一新的半导体技术成为可以依靠的革命性技术，需要英飞凌这样的合作伙伴。针对应用量身定制产品

  模块 /

  致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V 肖特基二极管系列，新的二极管产品瞄准广泛的工业应用，包括太阳能逆变器、电焊机、等离子切割机、快速车辆充电、石油勘探，以及很注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高压应用。 与硅(Si)材料相比，碳化硅(SiC)材料具备多项优势，包括较高的击穿场强度和更好的导热性，这些特性可让设计人员创建具有更好性能特性的器件，包括零反向恢复、不受温度影响特性、较高的电压能力，以及较高的工作时候的温度，进而达到新的性能、效率和

  由于慢慢的变多的工程师选择碳化硅（SiC）半导体，而不是以前的硅材料，因此SiC半导体最近慢慢的变流行，它们能承受比硅更高的电压和温度。 这些特性及其他特性使它们在汽车领域具有吸引力。这些半导体令汽车制造商和车主同样受益，例如更快的电池充电和更好的能源效率。以下是该领域令人兴奋的进展的三个例子： 1.减少散热，同时提高开关频率 SiC一项引人注目的应用涉及为电力电子设备提供更高的开关频率，这些功率电子设备共同充当了电动和混合动力汽车的“指挥中心”。从2018年6月开始，博世为扩大SiC半导体制造工厂制定了计划。 将SiC从材料变成芯片需要先进的制造工艺，该工艺可持续长达14周。博世没提供有关这些步骤的更多详细

  半导体材料与器件 PDF高清电子版

  HVI系列 - 如何驱动碳化硅 MOSFET 以优化高功率系统的性能和可靠性

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